(a) OV
(b) 10V
(c) 0.1V
(d) 1V
42. SCR को कहा जा सकता है
(a) ट्रांजिस्टर
(b) थायरिस्टर
(c) ट्रांसफॉर्मर
(d) इनमें से कोई नहीं
43. थायरिस्टर को कहा जा सकता है
(a) A.C. स्विच
(b) D.C. स्विच
(c) एकल स्विच
(d) इनमें से कोई नहीं
44. p-n-p-n संरचना वाली युक्ति है
(a) SCR
(b) GTO
(c) MOSFET
(d) इनमें से कोई नहीं
45. निम्न में से IGBT का SCR के सापेक्ष मुख्य लाभ है
(a) यह हल्का होता है
(b) इसमें दिक्-परिवर्तक क्षमता होती है
(c) यह उच्च विश्वसनीय होता है
(d) उपर्युक्त में से कोई नहीं
46. MOSFET को संचालित किया जाता है
(a) ऋणात्मक गेट वोल्टेज द्वारा
(b) धनात्मक गेट वोल्टेज द्वारा
(c) शून्य गेट वोल्टेज द्वारा
(d) उपर्युक्त में से कोई नहीं
48. थायरिस्टर में ऐनोड धारा प्रवाहित होती है
(a) इलेक्ट्रॉन से
(b) कोटरों से
(c) प्रोटॉन से
(d) इलेक्ट्रॉन व कोटरों से
49. संचालन की गति के अनुसार सही घटता हुआ क्रम है
(a) Power BJT, Power MOSFET, IGBT, SCR
(b) IGBT, Power MOSFET, Power BJT, SCR
(c) SCR, Power BJT, IGBT, Power MOSFET
(d) Power MOSFET, IGBT, Power BJT, SCR
50. UJT को……के रूप में जाना जाता है।
(a) धारा नियंत्रक युक्ति
(b) वोल्टेज नियंत्रक युक्ति
(c) विश्रांती दोलित्र
(d) उपर्युक्त में से कोई नहीं
51. FET का गेट टर्मिनल होता है।
(a) पश्च-बायसित
(b) अग्र-बायसित
(c) अबायसित
(d) उपर्युक्त में से कोई नहीं
53. MOSFET का उपयोग किया जाता है
(a) दोलित्रों में
(b) इलेक्ट्रॉनिक वोल्टमीटर में
(c) T.V. रिसीवर में
(d) उपर्युक्त सभी में
54. IGBT की परिभाषा क्या है?
(a) Integrated Gate Bi-directional Transistor
(b) Integrated Gate Bipolar Transistor
(c) Integrated Gate Blocky Transistor
(d) Insulated Gate Bipolar Transistor
55. एक BJT परिपथ में, एक p-n-p ट्रांजिस्टर को एक n-p-n ट्रांजिस्टर के द्वारा बदला जाता है। नए परिपथ के विशलेषण के लिए
(a) सभी पहले से की गयी गणनाओं को दोहराया जाना चाहिए
(b) सभी परिकलित वोल्टेजों को विपरीत मानों के द्वारा बदलना चाहिए
(c) सभी परिकलित धाराओं को विपरीत मानों के द्वारा बदलना चाहिए
(d) सभी परिकलित वोल्टेजों एवं धाराओं को विपरीत मानों के द्वारा बदलना चाहिए
56. एक FET एम्प्लीफायर की लब्धि निम्न को परिवर्तित करके बदली जा सकता है
(a) rm
(b) gm
(c) Ra
(d) इनमें से कोई नहीं
57. जब SCR टर्न ऑन किया जाता है, इसमें लगभग वोल्टेज होती है।
(a) 0 वोल्ट
(b) 10 वोल्ट
(c) 0.1 वोल्ट
(d) 1 वोल्ट
58. लोड में ए०सी० पावर को… . कनेक्ट करके नियंत्रित किया जा सकता है।
(a) 2 SCR श्रेणी क्रम में
(b) 2 SCR समान्तर क्रम में
(c) 2 SCR समान्तर विपरीत क्रम में
(d) 2 SCR के संयोजन को श्रेणी एवं समान्तर क्रम में
59. IGBT में ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप होता है
(a) उस MOSFET से कम
(b) उस MOSFET से अधिक
(c) उस MOSFET के बराबर
(d) शून्य
60. डायोड … टर्मिनल डिवाइस है।
(a) 1
(b) 3
(c) 2
(d) 4
उत्तर - 41d, 42b, 43b, 44a, 45c, 46c, 47a, 48d, 49d, 50b, 51a, 52a, 53d, 54d, 55d, 56b, 57d, 58c, 59a, 60c
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