ITI 2nd Year Electrician theory paper || ITI इलेक्ट्रीशियन थ्योरी पेपर
1. सेमीकंडक्टर्स में......... रैजिस्टैस होता है।
(A) नगेटिव तापक्रम कोएफिशियेट होता है।
(B) पोजेटिव तापक्रम कोएफिशियेट
(C) स्थिर तापक्रम कोएफिशियेट
(D) उपरोक्त में कोई नहीं
उत्तर A
2. P-टाइप सेमीकंडक्टर बनाने के लिए.......... अशुद्धियाँ मिलाई जाती है।
(A) ट्राइवैलेंट
(B) टैट्रा वैलेंट
(C) पेंटा वैलेंट
(D) ऊपर में कोई नहीं
उत्तर D
3. N-टाइप समिकडक्टर बनान के लिए.. . अशुद्धियाँ मिलाई जाती है।
(A) ट्राईवैलेंट
(B) टैटरावैलेंट
(C) पेंटावैलेंट
(D) ऊपर में कोई नहीं।
उत्तर C
4. जरमेनियम एटम में होते हैं.
(A) चार प्रोटोनस्
(B) चार वैलेंस इलैक्ट्रोन
(C) दो इलक्ट्रान आरावट
(D) पाँच वैलेंस इलैक्ट्रोन
उत्तर B
5. कंडक्शन बोंड में इलैक्ट्रोन........
(A) पैरेंट एटम से बँश होते है
(B) क्रिस्टल में सबसे ऊपर रहते हैं।
(C) इन पर चार्ज नहीं होता
(D) वैलेंस बोंड के इलैक्ट्रोन की तुलना में अधिक ऊर्जा होती है।
उत्तर A
6. इंट्रिसिक सेमीकंडक्टर्स शून्य तापक्रम पर
(A) इंसूलेटर की तरह व्यवहार करते हैं।
(B) होल्स अधिक होते हैं।
(C) होल्स और इलैक्ट्रोनस बराबर होता है।
(D) कंडक्टर की तरह व्यवहार करते हैं।
उत्तर A
7. जब इंट्रिसिंक सेमीकंडक्टर पर तापक्रम बढ़ता है,
(A) तब सेमीकंडक्टर का रेजिस्टैंस बढ़ जाता है।
(B) गर्मी से एटम का अर्धव्यास कम हो जाता है। (C) कंडक्शन बोंड में होल बनते हैं।
(D) एटम की ऊर्जा बढ़ जाती है।
उत्तर D
8. अगर थोड़ी मात्रा में एंटिमनी जरमेनियम में मिला दे तब
(A) रैजिस्टैंस बढ़ जाएगा।
(B) जरमेनियम P-type सेमीकंडक्टर बन जाएगा
(C) एंटिमनी डोनर अशुद्धि बन जाएगी
(D) सेमीकंडक्टर में स्वंतत्र इलैक्ट्रोनस की संख्या होल्स से अधिक हो जाती है।
उत्तर B
9. डोनर प्रकार की अशुद्धि
(A) अधिक संख्या में होल्स
(B) केवल सिलिकॉन में मिल सकती है।
(C) केवल पाँच वैलेंस इलैक्ट्रोन होते हैं।
(D) केवल तीन वैलेंस इलैक्ट्रोनस होते हैं।
उत्तर C
10. कंडक्शन बोंड..........
(A) क्रिस्टल में सबसे ऊपर होता है।
(B) इसको फोर बीडन ऊर्जा गैप भी कहते हैं।
(C) ऊर्जा फ्री-इलैक्ट्रोनस की ऊर्जा के बराबर होती है।
(D) यह ऊर्जा बोंड नहीं है।
उत्तर C
11. सेमीकंडक्टर में फोरबीडन ऊर्जा बोंड..
(A) वैलेंस बोंड के ठीक नीचे होता है।
(B) कंडक्शन बोंड के ठीक नीचे आता है।
(C) वैलेंस बोंड और कंडक्शन बोंड के मध्य में होता
(D) यह वैलेंस बोंड के समान ही होता है। है।
उत्तर C
12. N type सेमीकंडक्टर में माइनोरीटी कैरियर करते है.
(A) डूपिंग तकनीक पर
(B) डोनर एटम की संख्या पर
(C) पदार्थ के तापक्रम पर
(D) जरमेनियम या सिलिकॉन कि गुणवत्ता पर
उत्तर C
13. डूपिंग क्रिया के समय......
(A) शुद्ध सेमीकंडक्टर के होल्स और इलैक्ट्रोन में कमी आ जाती है।
(B) शुद्ध सेमीकंडक्टर के होल्स और इलैक्ट्रोन की संख्या बढ़ जाती है।
(C) शुद्ध सेमीकंडक्टर इंसूलेटर बन जाता है।
उत्तर B
14. N-टाइप सेमीकंडक्टर पदार्थ में, मैजोरिटी कैरियर
(a) फ्री इलैक्ट्रोन होते हैं
(b) फ्री होल्स होते हैं।
(c) होल्स और इलैक्ट्रोन की संख्या बराबर होती है।
उत्तर A
15. P-टाइप सेमीकंडक्टर पदार्थ में माइनोरिटी कैरियर
(a) फ्री इलैक्ट्रोनस् होते हैं।
(b) फ्री होल्स होते हैं।
(c) होल्स और इलैक्ट्रोनस् होते हैं।
उत्तर B
16. ओहामीटर से चैक करने पर डायोड दोनों तरफ कम रैजिस्टैंस दिखा रही हो तब........ है।
(A) शॉर्ट
(B) ओपन
(C) नार्मल
(D) लीकी
उत्तर A
17. ओह्ममीटर से चैक करने पर डायोड दोनों तरफ अधिक रैजिस्टैंस दिखा रही हो तब है।
(A) शॉर्ट
(B) ओपन
(C) लीकी
(D) नार्मल
उत्तर B
18. ओहामीटर से चैक करने पर डायोड एक तरफ अधिक रैजिस्टैंस दिखाए और लीड्स को उल्टा करके लगाने पर कम रैजिस्टैंस दिखाए तब................ है।
(A) नार्मल
(B) लीकी
(C) शॉर्ट
(D) ओपन
उत्तर A
19. डायोड के कार्य की तुलना...........से की जा सकती है
(A) फ्यूज
(B) रिले
(c) स्विच
(D) इंडक्टर
उत्तर C
20. ब्रेकडाउन क्षेत्र के नीचे सिलिकॉन का लीकेज करंट... होता है।
(A) 100 म्यू A
(B) 1म्यऊA
(C) 1mA
(D) 10mA
उत्तर B
0 Response to "ITI 2nd Year Electrician theory paper || ITI इलेक्ट्रीशियन थ्योरी पेपर"
एक टिप्पणी भेजें